英特尔首席执行官陈立武在JP摩根技术会议上透露，公司正全力推进新一代芯片制造技术的研发，已启动"10A"和"7A"工艺的开发工作。这两项技术预计于2030年代进入市场，将推动芯片设计向更微型化方向发展。陈立武强调，半导体行业头部客户不仅关注产品性能，更重视企业的长期技术布局，这促使英特尔提前布局未来数年才能产生经济效益的先进工艺。
当前英特尔的研发重心仍集中在即将问世的14A工艺。陈立武表示，该工艺开发进度符合预期，早期版本的工艺设计套件（PDK）已向客户开放，更成熟的版本将于10月交付外部合作伙伴。尽管未透露具体客户名称，但多家企业已明确表达合作意向。根据规划，14A工艺将于2028年启动风险试产，2029年实现大规模量产，这一时间表与台积电的同类技术部署计划基本同步。
14A工艺的显著特征是首次在工业规模上采用ASML的高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻系统。陈立武指出，这项新技术的引入涉及复杂的技术整合，除光刻机本身外，还需配套开发新型光掩模、材料和测量方法。英特尔正与ASML等合作伙伴紧密协作，确保技术按时达到量产标准。ASML首席执行官此前透露，首批采用High-NA EUV技术制造的测试芯片将在未来几个月内完成。
与台积电的技术路径形成对比的是，英特尔在14A工艺中引入了芯片背面供电技术。这项创新特别适用于高性能数据中心处理器，通过优化电源分配结构提升芯片能效。陈立武表示，这种差异化技术策略将帮助英特尔在竞争激烈的市场中建立独特优势。
