SK海力士公司近期宣布，其全球首款321层1Tb TLC 4D NAND闪存已成功进入量产阶段。这款闪存不仅在存储层级上达到了前所未有的高度，还在性能上实现了显著提升。
与上一代238层NAND闪存相比，新款321层产品在数据传输速度和读取性能上分别实现了12%和13%的增长。其数据读取的能效也提高了超过10%，为用户带来更加高效、节能的使用体验。
SK海力士自2023年6月起便开始供应当前市场上的顶级238层NAND闪存产品，并透露将于明年上半年正式推出321层产品，以满足市场对高性能存储解决方案的迫切需求。
在研发这款闪存的过程中，SK海力士的技术团队展现了卓越的创新实力。他们采用了“3-Plug”工艺技术，成功打破了堆叠层数的限制。该技术将复杂的通孔工艺流程分解为三个步骤，并通过后续的优化工艺实现三个通孔的电气连接。为确保工艺的精确性和稳定性，团队还开发了低变形材料，并引入了先进的通孔间自动排列矫正技术。
SK海力士在开发321层NAND闪存时，充分利用了上一代238层产品的开发平台。通过优化工艺流程和减少工艺变化，他们成功地将生产效率提高了59%，进一步巩固了其在存储领域的领先地位。
