在半导体制造业的早期历史中，芯片的生产遵循着一条从设计到制造的单向流程，各个环节之间的信息传递相对简单，缺乏深度交互。从物理设计到掩膜合成，再到光刻优化、工艺优化、检测与量测，以及最终的封装测试，这些步骤大多独立进行，数据之间的互联并不紧密。然而，随着技术节点的不断缩小和光刻技术的飞速发展，特别是在21世纪初，芯片制造工艺的复杂性急剧增加，设计与制造之间的耦合效应变得愈发显著。在此背景下，设计与制造协同优化（DTCO）的概念应运而生，成为业界关注的焦点。
DTCO打破了传统单向流程的局限，引入了包括面向制造的设计（DFM）和面向测试的设计（DFT）在内的多种方法和工具，实现了设计与制造端的深度整合。这一理念如今已成为芯片制造的核心技术之一，被台积电、三星等全球领先的芯片制造商广泛应用，以加速工艺升级并提升新产品良率。
东方晶源公司的创始团队在DFM和DTCO概念还处于萌芽阶段时，便与全球顶尖的芯片制造商及设备供应商展开了技术合作，积累了丰富的跨领域研发经验。2014年，公司正式成立，并提出了具有自主知识产权的全流程工艺优化（HPO）理念。HPO理念的核心在于将设计端的信息引入制造过程，特别是在量测和检测环节，通过跨域融合分析设计信息、量检测结果及良率信息，实现芯片设计的可制造性优化和制造良率的高效提升。
与通用的DTCO概念相比，东方晶源的HPO理念更加注重设计信息在芯片制造过程中的精准应用。利用设计版图信息，东方晶源为芯片制造厂商提供了目标明确、方法有效、效果可量化的整体量检测解决方案。同时，依托公司在计算光刻领域的技术优势，东方晶源将制造环节的良率问题反向回溯至设计端，重构了传统的DTCO数据闭环体系，形成了“量检测-分析-优化-反馈”的全链路协同架构。
自成立以来，东方晶源在计算光刻和芯片制造量检测领域持续深耕，逐步构建了HPO战略产品系列。这些产品包括DMC（设计可制造性检查），用于实现设计版图光刻结果的可制造性快速检查；PHD（图形化热点检测），用于提升掩膜制造精度；ODAS（离线数据分析系统），用于提高CD-SEM量测效率；PME（工艺裕量探索器），用于提高DRSEM结果的有效性；以及YieldBook，用于将设计数据与芯片制造良率相关数据集成在同一平台。
随着东方晶源计算光刻产品和良率装备产品的市场影响力不断扩大，HPO战略产品也在国内多家芯片制造厂商和设计厂商中得到了广泛应用，深度参与了尖端芯片技术与工艺的研发，并获得了良好的市场反馈。
近年来，随着AI技术的飞速发展，尤其是国产AI模型的崛起，为更高效、更智能化的HPO解决方案提供了可能。东方晶源凭借其底层架构的前瞻性布局，从计算光刻产品PanGen的研发初期就采用了CPU+GPU的混合超算架构和CUDA开发，能够高效兼容AI技术。在此背景下，东方晶源启动了HPO2.0产品规划，旨在将AI功能集成到现有产品中，并打造全新的产品和应用。
在计算光刻领域，东方晶源将利用AI技术提高光学邻近效应修正（OPC）模型的精度，展开刻蚀建模，完成曲线掩膜反向光刻优化流程，并实现版图全芯片模糊匹配。在良率装备产品方面，东方晶源将为所有良率装备产品引入AI能力，实现控制优化、故障分析、图像处理、数据挖掘等功能。在Fab良率数据分析产品方面，东方晶源将利用AI技术打造一系列良率分析工具，建立从设计版图到芯片良率的全链条数据平台。
作为国内半导体良率管理的领军企业，东方晶源通过不断创新和HPO理念的持续迭代，致力于为全球半导体产业提供先进的技术和解决方案。HPO2.0的启动不仅标志着公司从点工具提供商向平台型解决方案提供者的战略升级，更是通过AI技术与半导体制造的深度融合，助力行业突破先进制程良率瓶颈。
东方晶源将继续深耕计算光刻技术创新、良率装备性能突破及数据智能深度应用，基于HPO生态理念升级核心产品矩阵，全面实现良率最大化。在半导体产业向更高效率、更低成本、更可持续的方向发展的道路上，东方晶源将提供强大的全芯动能。
