据知名机构Yole最新发布的行业报告显示，全球DRAM内存市场正经历一轮显著的需求增长周期。以存储容量（bit）为统计口径，2026年全球DRAM需求预计将较上年提升23%，其中数据中心领域的需求增幅尤为突出，达到28%，对整体增长的贡献率超过半数。
数据中心对DRAM产能的虹吸效应持续加剧。报告指出，当前数据中心已占据全球DRAM总产能的半壁江山，其中人工智能相关负载的消耗占比高达30%。这种结构性需求变化迫使非数据中心领域的企业调整供应链策略，通过提前备货、增加库存等方式保障生产连续性，进一步推高了现货市场的紧张程度。价格走势印证了这一趋势——参考主要厂商的业绩指引，2024年第四季度内存价格已较前三季度上涨30%。
产能扩张的滞后性成为制约市场供应的关键因素。Yole分析认为，DRAM晶圆厂从新建到量产通常需要2-3年周期，尽管部分厂商已启动扩产计划，但2025年全球供应量仅能实现小幅增长，新增产能大规模释放需待2027年。这种供需时间错配将支撑本轮行情延续至2027年，期间市场价格可能维持高位运行。
