在近期举办的“Semicon Korea 2026”半导体展会上，韩美半导体（Hanmi Semiconductor）携其最新研发的宽幅热压键合设备亮相，引发行业广泛关注。这款专为下一代高带宽内存产品HBM5和HBM6设计的设备，被视为填补当前技术空白的重要突破。
据韩美半导体代表透露，受限于技术瓶颈，现有HBM量产所需的混合键合设备商业化进程持续滞后。而此次推出的宽幅热压键合设备通过创新设计，有望解决这一难题。该设备采用独特的结构，能够在HBM芯片面积增大的情况下，同步提升硅通孔（TSV）和I/O接口的数量，从而优化功耗表现。与传统高堆叠技术相比，其能耗降低效果显著。
技术细节方面，这款设备通过增加连接DRAM芯片的中介层与微凸点数量，实现了内存容量和带宽的双重提升。更值得关注的是，其可选配的“无助焊剂键合”功能，通过去除芯片表面氧化层并增强接合强度，使HBM整体厚度进一步缩减。这一特性对追求极致集成度的存储器产品具有重要意义。
行业分析指出，韩美半导体的这项技术突破不仅有助于提升HBM产品的生产良率和质量稳定性，更为HBM5和HBM6的规模化量产奠定了技术基础。随着数据中心、人工智能等领域对高带宽内存需求的持续增长，该设备的商业化应用或将重塑存储器市场的竞争格局。
