近日，露笑科技旗下合肥露笑半导体材料有限公司在第三代半导体材料领域接连取得重大突破，引发行业高度关注。作为国内碳化硅材料研发的先锋企业，合肥露笑不仅在8英寸导电型碳化硅衬底技术上实现关键性进展，更成功制备出12英寸半绝缘型碳化硅单晶样品，标志着我国在大尺寸碳化硅材料制备领域迈入全球领先行列。
碳化硅材料作为第三代半导体的核心基础，根据导电性能差异可分为导电型和半绝缘型两大类。其中，导电型碳化硅主要用于新能源汽车、光伏逆变器等功率器件领域，而半绝缘型碳化硅则是5G通信、雷达等射频器件的关键材料。合肥露笑此次突破的12英寸半绝缘型碳化硅单晶，不仅填补了国内在该尺寸领域的空白，更通过全流程工艺验证，为后续规模化生产奠定了坚实基础。
据技术团队介绍，12英寸碳化硅单晶的制备面临晶体生长速率控制、缺陷密度降低等多重技术挑战。合肥露笑通过自主研发的长晶设备与工艺优化，成功解决了大尺寸晶体生长中的应力分布问题，使单晶样品的质量达到国际先进水平。与此同时，公司同步完成的衬底加工全流程测试，验证了从晶体生长到衬底抛光的完整技术路线可行性。
在8英寸导电型碳化硅领域，合肥露笑此前已实现关键技术突破，目前正在推进量产线建设。此次新增的12英寸半绝缘型产线规划，将与现有8英寸导电型产线形成协同效应，构建覆盖全应用场景的产品矩阵。公司负责人表示，新产线将采用智能化制造系统，通过数字化控制提升生产效率与产品一致性，满足下游客户对高性能碳化硅材料的迫切需求。
随着新能源汽车、光伏发电等战略性新兴产业的快速发展，碳化硅材料市场需求呈现爆发式增长。行业数据显示，2023年全球碳化硅衬底市场规模已突破10亿美元，预计到2027年将增长至50亿美元以上。合肥露笑此次的技术突破与产能布局，不仅有助于提升我国在第三代半导体领域的自主可控能力，更为全球碳化硅产业链重构提供了重要支撑。
