集邦咨询（TrendForce）最新发布的行业分析报告显示，全球存储市场正经历新一轮价格调整周期，其中DRAM与NAND Flash两大核心产品均呈现显著波动。三星电子近期宣布维持DDR4内存产品的停产（EOL）计划，这一决策直接导致DDR4现货市场价格涨幅远超新一代DDR5产品，预计2026年其价格走势将持续上扬。
据报告分析，三星的停产决定打破了市场对DDR4长期供应的预期，引发产业链连锁反应。随着2026年停产时间节点临近，DDR4内存的全球供应量预计将出现断崖式下降。这种供应端的急剧收缩将人为制造产品稀缺性，可能引发价格倒挂现象——其单位存储容量（每Gb）价格或将攀升至历史高位，甚至超越部分采用先进制程的存储产品。市场监测数据显示，主流型号DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片的现货均价已从12月24日的22.235美元涨至12月30日的23.746美元，周涨幅达6.80%。
NAND Flash市场同样呈现强劲上涨态势。受2026年第一季度合约价格看涨预期推动，本周512Gb TLC晶圆现货价格大幅攀升13.35%，达到13.055美元。现货贸易商普遍对后市持乐观态度，在出货环节采取高价策略，进一步推高市场价格。行业观察人士指出，NAND Flash与DRAM的价格联动效应正在显现，两大存储品类同步进入上行周期，可能对全球电子产业链成本结构产生深远影响。
市场分析机构认为，三星的产能调整策略具有风向标意义。作为全球存储芯片龙头，其DDR4停产计划不仅直接影响现货市场供需平衡，更可能迫使下游厂商加速向DDR5迁移。然而，考虑到DDR5目前较高的成本门槛，2026年前DDR4仍将在中低端市场占据主导地位，其价格走势将持续成为行业关注焦点。与此同时，NAND Flash市场因企业级SSD需求回暖与智能手机存储容量升级，预计将维持供不应求态势至2026年中。
