存储芯片市场正经历新一轮价格波动，通用DRAM与NAND闪存两大核心产品价格持续攀升。根据最新市场研究报告，2026年第一季度通用DRAM合约价格环比涨幅达93%至98%，NAND闪存合约价格则上涨85%至90%，这一数据远超此前市场预期的80%涨幅。
报告指出，DRAM价格飙升主要源于供应链结构调整。尽管部分消费电子市场需求出现疲软迹象，但供应商持续将产能向服务器领域倾斜，导致整体供应持续紧张。这种供需失衡状态直接推高了市场价格，形成"结构性短缺"格局。值得关注的是，服务器市场对高带宽内存的需求仍在快速增长，进一步加剧了供应压力。
NAND闪存市场呈现差异化走势。消费级产品因价格压力导致需求收缩，但企业级固态硬盘市场表现强劲。供应商将超过60%的新增产能投入数据中心领域，满足AI训练与推理产生的海量存储需求。这种产能转移策略使得企业级产品价格保持坚挺，而消费级产品价格涨幅相对温和。
对于第二季度走势，市场研究机构预测通用DRAM价格将继续上涨58%至63%，NAND闪存涨幅达70%至75%。这种持续上涨态势主要受三大因素驱动：服务器厂商持续补库存、AI算力集群建设加速、以及全球数据中心扩容计划。尽管部分终端厂商开始寻求替代方案，但短期内难以改变供应紧张局面。
行业观察人士指出，本轮价格上涨周期可能延续至2026年底。三大存储原厂已明确表示，2026年资本支出将聚焦先进制程研发与高端产品扩产，传统消费级产品产能扩张计划持续推迟。这种战略调整将进一步改变市场供需格局，推动存储芯片市场进入新的价格周期。
