三星电子已决定在2025年初引入首台ASML High NA EUV光刻机，这一举措标志着该公司将与英特尔和台积电在下一代光刻技术商业化研发方面展开激烈竞争。此前，三星已与比利时微电子研究中心imec携手，在imec的High NA EUV光刻实验室对这项技术进行了初步探索。
考虑到High NA EUV光刻机的精密性，预计该设备在经过安装和调试后，将于明年中旬投入研发使用。三星目前的半导体先进制程路线图已规划至2027年量产的SF1.4节点，而采用High-NA光刻的制程则预计要到SF1阶段才会实施。
在先进制程代工领域，三星面临的主要竞争对手包括已完成两台High NA EUV光刻机安装的英特尔，以及即将于今年内接收首台机台的台积电。同时，在存储领域，SK海力士也计划在2026年引入其首台High NA EUV光刻机。
