根据TrendForce集邦咨询最新发布的存储器市场价格调查报告，2026年第二季度全球存储芯片市场将迎来显著价格波动。其中，DRAM领域因主要供应商加速产能结构调整，将资源向高带宽内存（HBM）和服务器级产品倾斜，同时通过差异化定价策略缩小产品线价差，推动整体价格上行。尽管终端消费电子需求存在放缓风险，但标准型DRAM（Conventional DRAM）合约价格仍预计环比增长58%至63%，创下近年单季最大涨幅。
NAND Flash市场则延续AI算力需求驱动的增长态势。数据中心建设加速与生成式AI应用普及，带动全产品线呈现连锁涨价效应。报告指出，第二季度NAND Flash整体合约价格涨幅将达70%至75%，其中企业级固态硬盘（SSD）和高端存储卡类产品涨幅最为显著。值得关注的是，部分供应商已开始调整产能分配，优先保障AI服务器等高毛利订单，进一步加剧了消费级产品的供应紧张局面。
行业分析认为，本轮存储芯片涨价潮具有明显的结构性特征。DRAM市场受HBM技术迭代影响，传统产品产能持续收缩，而NAND Flash则因AI数据存储需求爆发形成持续支撑。两大市场虽同处涨价周期，但驱动逻辑存在差异：DRAM价格更多反映供给侧改革成效，NAND Flash涨幅则直接对应需求侧爆发式增长。这种分化态势预计将持续至2026年下半年，直到新增产能逐步释放。
