随着半导体制造工艺的不断演进，特别是在22纳米及以下节点，对套刻误差的要求日益严格。为了满足这一需求，基于衍射原理的套刻误差测量技术因其优越性而被广泛应用。这一技术的关键在于套刻标记的设计，其性能直接影响测量精度。
为此，东方晶源依托其强大的计算光刻平台PanGen®，推出了全新的DBO套刻标记仿真优化产品——PanOVL。该产品通过多维度计算仿真，能够高效识别并优化套刻标记，显著提升光刻过程的效率与质量。
PanOVL软件集成了PanGen OPC®引擎与PanGen Sim®严格电磁场仿真引擎，利用GPU+CPU混算及分布式计算框架，实现了大规模套刻标记的高效仿真。这一创新不仅缩短了标记研发周期，还提高了套刻标记的抗工艺扰动能力和信噪比。
PanOVL的推出，进一步强化了东方晶源在计算光刻领域的技术实力，为晶圆制造提供了更先进的EDA解决方案。
