三星HBM4通过英伟达测试，本月预生产，或改写AI存储芯片市场格局

近日，半导体行业传来消息，三星电子向英伟达提供的HBM4内存样品已经成功通过了初期测试与质量验证，标志着该系列芯片即将迈入预生产阶段。这一进展预示着三星即将在高端内存市场上迈出重要一步。

据业内人士透露，“预生产”（PP，即Pre-Production）是半导体芯片进入大规模量产前的最后一道关卡。在这一阶段，HBM4芯片将接受与客户GPU产品的兼容性测试，以及在不同温度条件下的性能与质量稳定性考验。这些测试旨在确保芯片在实际应用中能够满足高标准的质量要求。

据韩国媒体SEDaily报道，这批HBM4芯片预计将应用于英伟达下一代AI加速器“Rubin”中。目前，英伟达HBM芯片的独家供应商为SK海力士。SK海力士在今年3月已向英伟达提供了HBM4样品，并于6月初开始初期量产，计划在10月全面扩大生产规模。

三星若能顺利通过预生产阶段，其HBM4芯片有望在11月正式投入量产。这将极大地缩短三星与SK海力士在高端内存市场的差距，为三星在AI存储芯片领域占据更多市场份额奠定基础。

业内人士还预测，三星的HBM3E 12层产品也有望在本月底通过英伟达的质量测试，并正式开始供货。这一连串的进展不仅提升了三星在高端内存市场的竞争力，也为英伟达在与SK海力士的供货量和芯片价格谈判中增添了筹码。

SEDaily指出，若三星能够顺利向英伟达供应HBM4和HBM3E芯片，明年的AI存储芯片市场或将迎来重大变革。金融投资界普遍认为，三星明年的HBM销售额有望实现倍数级增长。然而，当SEDaily就此事向三星求证时，三星方面表示：“涉及客户的相关信息，我们无法确认。”