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联发科首款台积电2nm制程旗舰SoC成功流片,天玑9600或2026年底量产上市

2025-09-17来源:ITBEAR编辑:瑞雪

联发科今日正式对外宣布,其基于台积电2纳米先进制程技术的旗舰级系统级芯片(SoC)已顺利完成设计验证流程,即业界俗称的“流片”(Tape out)。这一技术突破标志着联发科成为全球首批掌握2纳米芯片设计能力的企业之一,相关产品预计将于2026年第四季度启动量产并推向市场。

尽管官方声明中未明确产品型号,但根据联发科近期产品路线图推测,这款采用2纳米制程的芯片极有可能归属于天玑9系列高端产品线,或被命名为天玑9600。该系列此前凭借5纳米制程的天玑9300芯片在移动端市场取得显著成绩,此次制程升级有望进一步巩固其技术领先地位。

台积电此次推出的2纳米制程技术,核心创新在于采用纳米片(Nanosheet)晶体管结构。这种新型架构通过垂直堆叠设计,实现了对电流通道更精准的控制,从而在性能、功耗和芯片良率三个关键维度取得突破性进展。相较于当前主流的3纳米增强版(N3E)制程,2纳米制程的逻辑密度提升达1.2倍,意味着在相同芯片面积下可集成更多晶体管。

性能表现方面,联发科披露的数据显示,基于2纳米制程的芯片在保持相同功耗时,运算效率可提升18%;若维持相同运算速度,功耗则可降低约36%。这种能效比的显著优化,将为智能手机、平板电脑等移动设备带来更持久的续航表现和更强劲的性能输出。

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