联发科首款台积电2nm制程旗舰SoC成功流片，天玑9600或2026年底量产上市

联发科今日正式对外宣布，其基于台积电2纳米先进制程技术的旗舰级系统级芯片（SoC）已顺利完成设计验证流程，即业界俗称的“流片”（Tape out）。这一技术突破标志着联发科成为全球首批掌握2纳米芯片设计能力的企业之一，相关产品预计将于2026年第四季度启动量产并推向市场。

尽管官方声明中未明确产品型号，但根据联发科近期产品路线图推测，这款采用2纳米制程的芯片极有可能归属于天玑9系列高端产品线，或被命名为天玑9600。该系列此前凭借5纳米制程的天玑9300芯片在移动端市场取得显著成绩，此次制程升级有望进一步巩固其技术领先地位。

台积电此次推出的2纳米制程技术，核心创新在于采用纳米片（Nanosheet）晶体管结构。这种新型架构通过垂直堆叠设计，实现了对电流通道更精准的控制，从而在性能、功耗和芯片良率三个关键维度取得突破性进展。相较于当前主流的3纳米增强版（N3E）制程，2纳米制程的逻辑密度提升达1.2倍，意味着在相同芯片面积下可集成更多晶体管。

性能表现方面，联发科披露的数据显示，基于2纳米制程的芯片在保持相同功耗时，运算效率可提升18%；若维持相同运算速度，功耗则可降低约36%。这种能效比的显著优化，将为智能手机、平板电脑等移动设备带来更持久的续航表现和更强劲的性能输出。