全球存储芯片行业迎来重大突破，SK海力士与英伟达就新一代高带宽存储器（HBM4）达成供应协议。这款专为AI计算设计的核心组件，凭借数据传输通道数量翻倍至2048个的技术优势，成功将产品单价提升至560美元，较前代HBM3E增长超50%。作为全球首款实现该技术指标的存储器，HBM4的量产标志着AI硬件性能迈入全新阶段。
技术革新方面，HBM4在基底芯片设计上实现重大突破。通过集成计算效率优化和能效管理的"逻辑制程"功能，产品直接在GPU与存储器的连接层实现算力提升，这种架构创新使AI设备的整体运行效率得到显著优化。行业分析师指出，这种将存储与计算功能深度融合的设计，或将重新定义高性能计算硬件的标准。
生产模式调整成为保障产能的关键举措。SK海力士将基底芯片制造环节外包给台积电，自身则专注于核心技术研发与产能统筹。这一战略转型在3月已见成效，全球首款12层堆叠HBM4样品通过英伟达验证，6月启动的小批量供货获得市场积极反馈。据内部人士透露，该产品的良品率较预期提升15%，为大规模量产奠定基础。
市场价格体系呈现结构性变化。除HBM系列外，GDDR和LP DDR等通用存储产品价格同步上扬，9月DDR4交易价创六年来新高。这种全线涨价态势源于推理AI市场的爆发式增长，行业数据显示，2025年全球AI训练与推理需求将推动存储芯片需求增长300%，而当前产能仅能满足约60%的市场需求。
财务预测显示强劲增长势头。SK海力士预计2025年HBM业务销售额达40-42万亿韩元，营业利润率维持在60%高位。仅该业务板块就将贡献25万亿韩元营业利润，推动公司整体营业利润突破70万亿韩元。值得关注的是，HBM4在下半年全面替代HBM3E后，业务规模预计较今年增长40%-50%，形成新的利润增长极。
产能布局方面，SK海力士已提前锁定2025年全部HBM产能。这种"未产先销"的市场策略，反映出行业对高端存储芯片的旺盛需求。技术专家分析，随着3nm制程工艺的成熟，HBM5的研发已进入实验阶段，未来存储器与GPU的集成度将进一步提升，推动AI计算效率持续突破物理极限。
