半导体产业正经历深刻变革，先进封装技术已成为推动行业发展的核心驱动力。SK海力士宣布将在美国投资38.7亿美元建设2.5D封装量产线，预计2028年下半年投入运营。与此同时，台积电正对8英寸和12英寸晶圆厂进行重大升级，重点部署支持CoWoS和CoPoS技术的先进封装生产线。这些战略布局标志着半导体制造正式进入"晶圆代工2.0"时代，制造、封装与测试的深度整合成为新的竞争焦点。
人工智能技术的爆发式增长，使先进封装市场迎来黄金发展期。Yole集团数据显示，全球先进封装市场规模将在2030年达到约800亿美元，年复合增长率达9.4%。这一趋势背后，是封装技术从传统2D向2.5D、3D的持续演进。自1950年代点对点封装到2010年后2.5D与3D晶圆级封装的突破，互连密度和集成复杂度实现了质的飞跃。
2.5D封装技术通过硅中介层或嵌入式桥接实现多芯片水平连接，在AI芯片领域展现出独特优势。该技术可在单一封装内集成CPU、GPU、高带宽存储器（HBM）和I/O模块，既避免了3D堆叠的高制造难度，又显著提升了数据传输效率。以深度学习模型训练为例，GPU与HBM间的数据交换效率较传统封装提升数倍，而功耗却大幅降低。台积电的CoWoS和英特尔的EMIB技术已成为该领域的代表性方案，AMD MI250等产品已实现GPU与HBM在RDL中介层上的高效集成。
中介层技术正面临新的突破挑战。台积电CoWoS的硅中介层尺寸已从2016年的1287mm²扩大至当前的2831mm²，支持8个HBM3堆叠，并计划在2026年扩展至4719mm²以兼容12个HBM4。随着HBM接口带宽的提升，中介层金属层数从典型四层增加至十层，带来成本和工艺控制的双重压力。行业正在探索有机中介层和硅桥接器等替代方案，前者可降低30%以上成本，后者则通过缩小尺寸提高良率。
国内企业在2.5D封装领域已形成完整布局。盛合晶微作为大陆最早实现12英寸Bumping量产的企业，在基于TSV硅中介层的2.5D集成市场占据85%份额，技术能力与全球领先企业同步。长电科技推出的XDFOI平台支持4nm节点Chiplet封装，通过多层RDL布线实现高密度互连；通富微电与AMD合作实现大尺寸FCBGA和2.5D封装量产，TSV工艺成本较海外低40%；华天科技12英寸晶圆级TSV产线良率达85%，逐步缩小与国际先进水平的差距。
3D封装技术正在开启新的发展阶段。三星X-Cube技术通过硅通孔（TSV）实现SRAM与逻辑芯片的垂直堆叠，使信号路径缩短50%以上。台积电SoIC技术采用铜-铜混合键合，实现10μm以下互连间距，带宽密度达1TB/s/mm²。设备厂商也在加速布局，ASML交付的首台TWINSCAN XT:260光刻机分辨率达400纳米，生产速度提升至每小时270片晶圆；泛林集团推出的Vector Teos 3D沉积设备，可解决异质集成和3D堆叠中的技术难题。
全球产能扩张浪潮印证了先进封装的战略地位。日月光投资扩建K18B厂房，Amkor将美国工厂面积扩大近一倍，长电科技保持85亿元资本支出重点突破先进封装技术。华天科技已完成车规级FCBGA封装技术攻关，2.5D/3D产线实现通线。这场由AI驱动的封装革命，正在重塑全球半导体产业格局，技术迭代速度和产能布局效率将成为决定企业竞争力的关键因素。
