全球硬件领域在内存技术革新上持续发力，美光、英特尔、AMD三大厂商近期动作频频，从数据中心存储突破到消费级市场异动，展现出技术迭代与市场博弈的双重图景。
美光科技率先掀起存储革命，其推出的9650 NVMe SSD成为全球首款量产的PCIe 6.0数据中心固态硬盘。这款产品以28GB/s的顺序读取速度和14GB/s的写入速度刷新行业纪录，较前代产品性能翻倍，能效提升最高达200%。基于垂直整合架构，该SSD搭载第九代G9 NAND闪存，采用六平面设计实现3.6GB/s的IO速率。针对不同应用场景，产品分为PRO和MAX两大系列：PRO系列支持每日1次全盘写入，提供7.68TB至30.72TB容量选择；MAX系列则支持每日3次全盘写入，覆盖6.4TB至25.6TB容量区间。特别设计的E1.S版本可无缝集成液冷系统，为高密度数据中心提供散热解决方案。目前该产品已启动批量供货，预计2026年第三季度实现全面普及，其低功耗特性与AI算力需求形成完美契合。
英特尔在内存领域投下重磅炸弹，与软银旗下Saimemory合作研发的ZAM（Z-angle Memory）技术原型在Intel Connection Japan 2026活动上完成全球首秀。这项颠覆性技术采用交错互连拓扑结构，通过芯片堆叠内部的"Z字形"布线替代传统垂直布线，结合铜-铜混合键合技术与无电容设计，使单芯片容量突破512GB。实测数据显示，ZAM内存功耗较HBM降低40%-50%，热阻显著下降，特别适合AI数据中心的高能耗场景。该技术源于美国能源部AMT项目，历经四年国家实验室验证，英特尔已完成功能完整的测试组件开发。按照规划，2027年将推出优化原型，2029年实现商业化量产。不过要打破HBM的市场垄断，仍需获得英伟达等AI巨头的生态认可。
消费级市场正上演戏剧性反转，DDR5内存价格暴涨意外催热AMD老平台。受AI算力需求激增、厂商控产、渠道抢货及成本上升等多重因素影响，2026年第一季度全球DDR5合约价环比暴涨80%-95%，直接推动消费端内存条价格飙升。这导致大量用户转向搭载DDR4的AM4平台，基于Zen3架构的R7 5800X/XT系列处理器销量逆势上扬。数据显示，亚马逊美国站R7 5800XT月销量近3000套，远超当代旗舰R7 7800X3D的1000套；德国Mindfactory零售商周销榜上，5800X以120套销量与7800X3D并列亚军。这款采用台积电7nm工艺的处理器，凭借3.8-4.8GHz频率、32MB三级缓存和105W TDP，在兼容X570/B550主板的优势下，展现出超越新一代锐龙7000/9000系列的性价比。市场分析指出，随着5800X3D等热门型号停产，Zen3产品线中仅存的8核16线程选择正成为预算有限用户的首选。
